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Ya sea que necesite un calentamiento uniforme, un vertido eficiente o un manejo preciso del material, el crisol adecuado puede tener un gran impacto en sus resultados. Elegir el crisol adecuado implica comprender los requisitos específicos de su proceso.

Los crisoles de nitruro de boro pirolítico (PBN) son valorados por su pureza, resistencia al choque térmico y durabilidad. Previenen la contaminación del material, algo fundamental en los procesos sensibles a las impurezas, y soportan cambios rápidos de temperatura sin agrietarse. Su aislamiento eléctrico es adecuado para aplicaciones no conductoras y sus diversas formas satisfacen necesidades específicas.

Basándose en el efecto de endurecimiento por transformación de fase de la zirconia tetragonal metaestable bajo inducción de tensión, las cerámicas de endurecimiento por transformación de fase de zirconia incluyen principalmente zirconia tetragonal policristalina (TZP), zirconia parcialmente estabilizada (PSZ) y cerámica endurecida con zirconia (ZTC).

En la industria moderna, los iones de los materiales afectan en gran medida el rendimiento y la vida útil de los equipos. En la industria de la fundición, los tubos de subida, clave para las máquinas de fundición a presión de baja presión, influyen significativamente en la calidad y la eficiencia de la fundición. El nitruro de silicio se ha convertido en el material preferido para los tubos de subida debido a sus excelentes propiedades.

Los ejes de rotor desgasificadores de cerámica de nitruro de silicio son materiales industriales avanzados con una resistencia excepcional a altas temperaturas (hasta 1200 °C), al desgaste, a la corrosión y a la oxidación. Su estabilidad térmica y química superior garantiza un rendimiento a largo plazo en condiciones extremas.

La tecnología de tampografía se utiliza ampliamente en las industrias modernas para superficies como plásticos, metales, vidrio y cerámica. Con la creciente demanda de impresiones duraderas y de alta calidad, los anillos de tampografía tradicionales a menudo no están a la altura. Los anillos de tampografía de zirconio brindan una solución superior y duradera.

El 23 de diciembre, medios de comunicación como The Economic Times informaron que Silectric Semiconductor, una subsidiaria de Zoho Corporation, establecerá la primera planta de fabricación de semiconductores de Karnataka en India, dedicada a la producción integrada de carburo de silicio.

Recientemente, Kyocera anunció el desarrollo de un nuevo material cerámico de nitruro de silicio para pruebas funcionales de microchips de próxima generación. Este nuevo material cuenta con propiedades de expansión térmica y resistencia a la flexión mejoradas, lo que permite la producción de placas delgadas de nitruro de silicio con un espaciado extremadamente estrecho entre las sondas de contacto, lo que es fundamental para probar microchips de próxima generación.

Recientemente, KYOCERA celebró una ceremonia de inauguración de su fábrica de cerámica fina para implantes médicos, ubicada en Waiblingen, cerca de Stuttgart, Alemania. Esta instalación se especializará en la fabricación de cabezas de cerámica de alta calidad que se utilizan en prótesis de cadera y otras aplicaciones de implantes. Se espera que el proyecto esté terminado en septiembre del próximo año.

Recientemente, Alpha HPA, una empresa australiana, ha iniciado la construcción de la segunda fase de la refinería de alúmina de ultra alta pureza más grande del mundo, ubicada en una sola ubicación.

Según datos de QY Research, el tamaño del mercado global de cerámica de carburo de silicio (SiC) utilizada en semiconductores fue de 1.111 millones de dólares en 2023. Impulsado por la rígida demanda de las industrias posteriores, se proyecta que el mercado de cerámica de carburo de silicio crecerá a 1.578 millones de dólares para 2030, con una tasa de crecimiento anual compuesta (CAGR) del 5,09% entre 2024 y 2030.

Un equipo de investigación de la Universidad Ritsumeikan en Japón ha desarrollado una nueva tecnología de pulido mecánico electroquímico (ECMP), logrando una tasa de eliminación de material de aproximadamente 15 μm/h, mejorando significativamente el pulido de SiC.