Nitruro de aluminio (AlN)
La cerámica de nitruro de aluminio (AlN) presenta una alta conductividad térmica (≥170 W/m·K), un excelente aislamiento eléctrico y una baja expansión térmica, lo que la hace ideal para la disipación de calor y el encapsulado electrónico, especialmente para electrónica de alta potencia y alta frecuencia. Al igual que otros materiales cerámicos, presenta alta dureza, excelente resistencia mecánica, resistencia a la corrosión y estabilidad a altas temperaturas, lo que la hace adecuada para componentes estructurales en entornos hostiles.
La cerámica de AlN ofrece una excelente estabilidad térmica, conservando sus propiedades por encima de los 2000 °C en atmósferas inertes. En el aire, la oxidación comienza aproximadamente a 600-700 °C, formando una capa protectora de Al₂O₃ que ralentiza la oxidación. Esta capa permanece estable hasta aproximadamente 1370 °C, pero a temperaturas más altas, la oxidación puede progresar, lo que podría afectar la integridad del material.
Propiedades
Alta dureza y excelente resistencia mecánica.
Excelente resistencia a altas temperaturas.
Expansión térmica similar a la del silicio.
Conductividad térmica superior
Excelente resistencia a la corrosión
No tóxico y respetuoso con el medio ambiente.
Alta resistencia a la ruptura eléctrica
Constante dieléctrica baja y pérdida dieléctrica mínima
Ficha de datos
Artículo | Unidad | Parámetros técnicos |
Pureza | - | 95 |
Color | - | Gris claro |
Densidad | g/cm3 | ≥3,30 |
Absorción de agua | - | 0% |
Dureza (HV0.5) | - | 1130 |
Módulo de Young | Promedio general | 310-320 |
Tenacidad a la fractura | Mpa.m1/2 | 3.5 |
Resistencia a la flexión a 25 °C | Mpa | 330 |
Resistencia a la compresión a 25 °C | Mpa | 2100 |
Conductividad térmica a 25 ℃ | W/MK | ≥170 |
Coeficiente de expansión térmica (20~300℃) | 10-6/°C | 4.7 |
Resistencia al choque térmico | △℃ | 400 |
Temperatura máxima de trabajo @Aire acondicionado | °C | 900 |
Temperatura máxima de trabajo @Condición de protección de gas inerte | °C | 1800 |
Punto de fusión | °C | 2500 |
Rigidez dieléctrica | KV/mm | 17 |
Resistividad de volumen | Ohm.cm | >1014 |
Constante dieléctrica (1 MHz, 25 ℃) | - | 9 |
Pérdida dieléctrica (1 MHz, 25 ℃) | - | 0.001 |
Aplicaciones
Módulos de equipos semiconductores
Módulos de comunicación óptica y RF
Módulos de embalaje LED y láser
Módulos de electrónica de potencia
Componentes de gestión térmica
Módulos de microondas y radar de alta frecuencia
Módulos médicos y de detección
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