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Noticias de la Industria

  • ¡La nueva tecnología de pulido de SiC aumenta 10 veces la eficiencia!

    Un equipo de investigación de la Universidad Ritsumeikan en Japón ha desarrollado una nueva tecnología de pulido mecánico electroquímico (ECMP), logrando una tasa de eliminación de material de aproximadamente 15 μm/h, mejorando significativamente el pulido de SiC.

    11-07-2024
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