Nitruro de boro pirolítico (PBN)
El nitruro de boro pirolítico (PBN) es un material cerámico de ultraalta pureza producido mediante deposición química en fase de vapor (CVD) en condiciones de alta temperatura y vacío, alcanzando una pureza del 99,999 % (grado 5N). Su excepcional inercia química y estabilidad a alta temperatura lo convierten en la opción ideal para el procesamiento de semiconductores, el crecimiento de cristales y aplicaciones de alto vacío. La ultraalta pureza del PBN garantiza una contaminación mínima, lo que lo hace esencial para MBE, MOCVD y otros procesos avanzados de fabricación de materiales. Además, su capacidad para mantener la integridad estructural en entornos extremos lo convierte en un material predilecto para crisoles, fuentes de evaporación y componentes de precisión en industrias exigentes..
Propiedades
Pureza ultra alta (99,999 %, grado 5N).
Sin desgasificación a altas temperaturas.
Espesor uniforme para un rendimiento de calentamiento constante.
Alta estabilidad térmica y resistencia al choque térmico.
Buena integridad mecánica, fácil de limpiar y reutilizable.
Altamente inerte químicamente, resistente a ácidos, álcalis y disolventes a altas temperaturas.
Ficha de datos
| mismo | Unidad | Parámetros técnicos |
| Pureza | % | >99.999 |
| Color | - | lvory |
| Densidad | g/cm³ | 1,95-2,22 |
| Constante de red | metro | a: 2,5x10-10 c: 6.8x10-10 |
| Resistencia a la tracción | Mpa | 40 |
| Resistencia a la flexión | Mpa | 80 |
| Conductividad térmica a 200 °C | W/mk | a:82.3 c:2.6 |
| Conductividad térmica a 900 °C | W/mk | a:55.3 c:2.8 |
| Coeficiente de expansión térmica | 10-6/K | 2(a) |
| Temperatura máxima de trabajo con aire acondicionado | °C | 900 |
| Temperatura máxima de trabajo en condiciones de vacío | °C | 2000 |
| Temperatura máxima de trabajo con protección de gas inerte | °C | 2200 |
| Constante dieléctrica (10 GHz) | - | a:5.2 c:3.8 |
| Rigidez dieléctrica | KV/mm | 56 |
| Resistividad eléctrica | Ohm.cm | >1015 |
Aplicaciones
Crisoles para el crecimiento in situ de monocristales semiconductores III-V (GaAs, InP, GaP, etc.).
Crisoles y navecillas para el crecimiento de monocristales y policristales III-V.
Crisoles y fuentes de evaporación para epitaxia de haz molecular (MBE) y procesamiento de OLED.
Calentadores y componentes de grafito recubiertos de IPBN para aplicaciones de alta temperatura.
Componentes aislantes para hornos de vacío de alta temperatura.
Boquillas aislantes de alta temperatura.
Tableros aislantes PBN para sistemas MOCVD.
Piezas de aislamiento eléctrico de alta temperatura.
Crisoles para aplicaciones metalúrgicas especializadas.
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